设计不同的热流密度;防止工质进入过渡沸腾区,从而导致传热恶化,壁温过热。由于采用竖管加热,筒体上部的含汽率远高于下部,筒体上部容易产生传热恶化,所以必须减少筒体上部的热流密度,故此在水冷线圈7设计时采用下密上稀的结构,确保在同样长度内,底部的线圈匝数多,热流密度大;顶部的线圈匝数少,热流密度小。这样通过分区段计算,从理论上上降低了筒体壁温高的可能性,**提高了设备的安全性和使用寿命。图4为本发明实施例用于蒸汽炉加热的汽水流程示意图。其中锅筒下方通过下降管连接水平连通管,水平连通管分别与汽水引进管5和辅助加热水套汽水引入管6相连,锅筒中的饱和水从下降管,经底部联通管分别流向中心加热筒体2和外侧辅助加热水套,在中心加热筒体2和外侧辅助加热水套内通过电磁感应加热后,变成汽水混合物,通过顶部汇总,流经汽水引出管进入锅筒,一部分蒸汽经分离后,从锅筒顶部引出,完成一个汽水循环。当设计大吨位锅炉时,可以用多个加热单元组装设计,由于采用外侧水套屏蔽了电磁感应场向周边扩散,所以每个单元之间的距离没有要求,可以紧挨着;只需考虑未封闭端距离周边至少500mm以上的距离即可。实际未封闭端均是向下布置。传统加热板留置区分配不合理引致加热不平衡,也易于引致局部变形等疑问。MSA FACTORYPH132-PCC10A加热板总经销

晶圆加热装置的制作方法文档序号:30596935发布日期:2022-07-0120:52阅读:35来源:国知局导航:X技术>*****>电气元件制品的制造及其应用技术1.本技术属于晶圆加工技术领域,尤其涉及一种晶圆加热装置。背景技术:2.目前,常用的晶圆加热设备的加热丝呈螺旋状从中心向**旋转,加热丝在热盘中的分布不够均匀,无法达到均匀加热的目的,无法满足晶圆的高精度加热要求,而高精度加热对半导体工艺至关重要。3.另外,在晶圆加热前需要先行对晶圆进行定位,在先技术中通常通过真空吸盘定位,但现有的真空吸盘对晶圆的吸附力通常不够均匀,晶圆和真空吸盘间的间隙存在差异,这也会导致晶圆加热不均匀,导致无法满足晶圆加热的精度要求。技术实现要素:4.针对上述问题,本技术提供了一种晶圆加热装置,至少解决了在先技术中真空吸盘吸附力不均匀、晶圆加热不均匀的问题。5.本技术实施例提供一种晶圆加热装置,包括:6.基座;7.真空吸盘,设于所述基座上且用于吸附工件,所述真空吸盘上设有进气孔与气路,所述气路包括若干同心设置的环形气路以及沿若干沿所述真空吸盘的径向延伸的径向气路,每个所述径向气路与各所述环形气路均连通。
MSA FACTORYPH132-PCC10A加热板再用化学机械抛光工艺使其至少一面光滑如镜,晶圆片制造就完成了。

**名称:一种高频加热时精确控制温度的方法技术领域:本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法,具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法。背景技术:在冶炼、锻造、热拉、热装、焊接、热处理等金属制造业领域,高频加热的方法已开始逐渐代替传统的加热方法,高频加热作为一种新型的加热方式具有节约能源、加热灵活、操作方便等优点。在金属材料热处理领域,由于不同的材料比较好淬火温度有所不同,因此需要能够精确的控制温度。高频加热的方式虽然具有一系列的优点,但在其温度控制方法上仍然存在以下的不足1,通过传统的时间控制的热处理的淬火温度在士30°C左右,并且受输入电压、环境温度、工件尺寸公差、感应器等因素影响可能温度波动还要大,而理想的热处理的淬火温度是在目标温度士10°c范围内,因此在加工温度精度要求比较高的材料时,传统的方法不能满足质量的要求;2,即使通过红外温度控制等方式,排除输入电压、环境温度、工件尺寸公差、感应器等因素的影响,晶体管高频加热工件,当外界给出高频断开信号时,由于电源控制系统的问题,高频不能在这一瞬间断开,高频断开往往有个时间滞后,并且这个滞后时间存在一定误差。
受国际形势的影响,国内很难再从国外进口氮化铝陶瓷加热盘,导致国内对氮化铝陶瓷加热盘的需求变得紧张起来。氮化铝陶瓷加热盘被应用于半导体行业中,常见的加热盘一般是8英寸的,国内对氮化铝陶瓷加热盘需求紧张,但是国内能加工氮化铝陶瓷加热盘的厂家却很少。导致这种情况的原因主要是由于氮化铝陶瓷加热盘的加工难度很高,那么为什么氮化铝陶瓷加热盘加工难呢?下面就由钧杰东家为您解答。氮化铝陶瓷加热盘-钧杰陶瓷首先,我们需要了解一下氮化铝陶瓷是什么:陶瓷行业的行家都知道,氮化铝陶瓷是一直具有高导热性能和电绝缘性能的先进陶瓷材料,被广泛应用于电子工业。氮化铝晶体属于六方晶系,它以四面体为结构单元共价键化合物,乃纤锌矿型结构。同时它也是一种耐高温的陶瓷材料,它的单晶体导热率是氧化铝的5倍左右,并且可以在2200℃的环境中使用,具有良好的耐热冲击性能。 将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。

4为限位柱;5为温度传感器;6为过温保护器;7为隔热环;11为***加热区域;12为第二加热区域;13为第三加热区域;14为第四加热区域;15为第五加热区域;16为第六加热区域;17为第七加热区域。具体实施方式下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不能用来限制本发明的范围。实施例一、本实施例的晶圆加热器的结构如图1至4所示包括:加热盘1、底板2和垫柱3加热盘1第二面上设有七个加热区域,分别为***加热区域11、第二加热区域12、第三加热区域13、第四加热区域14、第五加热区域15、第六加热区域16和第七加热区域17;***加热区域11设置于中心区域,第二加热区域12和第三加热区域13设置于***加热区域11外圆周,第四加热区域14、第五加热区域15、第六加热区域16和第七加热区域17设置于第二加热区域12和第三加热区域13外圆周;每个加热区域上均设置有若干弧形凹槽,且每个加热区域内的弧形凹槽均与相邻的弧形凹槽连接,使每个加热区域内的弧形凹槽形成串联;每个加热区域内均设置有一根加热丝,加热丝嵌于弧形凹槽内;底板2与加热盘1,使加热丝固定于加热盘1上。垫柱3为peek材料,高度为,设置在加热盘1上。本发明提供一种高频加热时精确控制温度的装置及方法。浙江PA6015-WP-PCC20A加热板
晶圆都能放置在加热盘1的固定位置。MSA FACTORYPH132-PCC10A加热板总经销
辅助加热水套与中心加热筒2连通的一端用于辅助加热,封闭端用于线圈7的安装检修。内筒体3与中心加热筒2之间均匀设置有线圈固定装置8,沿线圈固定装置8外侧螺旋绕装有线圈7。线圈7截面为正方形,线圈上端距离顶部端面不低于150mm。中心加热筒体2与外侧水套中间形成的圆环形空腔用于放置线圈7,该开口圆环面积*占空腔总表面积的%,且线圈距离开口端面150mm以上,所以理论漏磁量非常小。将%的空间表面封闭在一个金属空腔内,减少了漏磁、增加电感量。当多个单元体组装时,无需考虑两个单元体之间或单元体与周边环境之间的电磁干扰或感应,从而缩减设备整体尺寸,满足设计要求。如图2-图3所示,线圈固定装置8设有三组,以中心加热筒2轴线为中心呈正三角形分布。包括绝缘支柱83,材料推荐为耐高温二苯醚层压板,压板外侧设有陶瓷套。绝缘支柱83上端通过支柱定位管82与支柱固定块81固定连接,下端与固定于底端平面的支柱底座85连接。绝缘支柱83上设有若干用于线圈7定位的定位螺栓84。线圈7绕过定位螺栓84,可以有效调节线圈7缠绕的节距。线圈7采用上密下疏的布置方式。采用线圈的分区段设计,针对立式管内被加热工质存在预热段、过冷沸腾段、核态沸腾段等不同区段。MSA FACTORYPH132-PCC10A加热板总经销
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